在電子束曝光下使用納米位移臺(tái)時(shí)，樣品可能會(huì)受到電子束的熱影響。為了避免或降低這種影響，可以采取以下措施：
使用低電子束能量： 降低電子束的能量可以減少其在樣品上產(chǎn)生的熱效應(yīng)。選擇適當(dāng)?shù)碾娮邮铀匐妷海蛊浔３衷谙鄬?duì)較低的水平，以減少熱損耗。
限制曝光時(shí)間： 減少電子束照射的時(shí)間，以降低樣品的熱積累。將曝光時(shí)間限制在必要的節(jié)點(diǎn)，以獲得所需的成像或分析結(jié)果。
使用脈沖電子束： 如果設(shè)備支持，可以考慮使用脈沖電子束而非連續(xù)電子束。脈沖電子束照射時(shí)間短，有助于減少熱傳導(dǎo)到樣品的程度。
散熱： 提供樣品附近的有效散熱系統(tǒng)，以幫助快速冷卻樣品表面。這可以通過(guò)空氣或液體冷卻系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
使用導(dǎo)熱性好的樣品支持： 選擇具有較好導(dǎo)熱性的樣品支持，以幫助迅速傳遞熱量，防止在樣品上產(chǎn)生過(guò)多的熱積累。
考慮樣品固定： 在進(jìn)行電子束曝光之前，可以考慮使用合適的固定劑或支撐結(jié)構(gòu)來(lái)確保樣品的穩(wěn)定性。這有助于減小因電子束造成的振動(dòng)和熱效應(yīng)。
避免高電流密度： 盡量避免使用高電子束的電流密度。選擇適當(dāng)?shù)氖?，以減小對(duì)樣品的熱影響。
監(jiān)測(cè)溫度： 在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中監(jiān)測(cè)樣品的溫度。使用溫度監(jiān)測(cè)設(shè)備，如紅外熱像儀或熱電偶，以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的溫度，確保不超過(guò)安全范圍。
以上就是卓聚科技小編分享的納米位移臺(tái)在電子束曝光下如何避免樣品的熱影響。更多位移臺(tái)產(chǎn)品及價(jià)格請(qǐng)咨詢