等離子體增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)

等離子體增強化學氣相沉積-制取方法
在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強化學氣相沉積是：在化學氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產(chǎn)生低溫等離子體，增強反應物質的化學活性，從而進行外延的一種方法。 [1] 該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置于陰極上，通入反應氣體至較低氣壓(1～600Pa)，基體保持一定溫度，以某種方式產(chǎn)生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應氣體得到活化，同時基體表面產(chǎn)生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著復雜的等離子體化學反應。沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下形成的。激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。

等離子體增強化學氣相沉積-優(yōu)點
等離子體增強化學氣相沉積的主要優(yōu)點是沉積溫度低，對基體的結構和物理性質影響?。荒さ暮穸燃俺煞志鶆蛐院?；膜組織致密、針孔少；膜層的附著力強；應用范圍廣，可制備各種金屬膜、無機膜和有機膜。

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