主要特點(diǎn)：
1，優(yōu)勢(shì)在于薄膜材料、低維納米材料等的制備（尤其適用于過(guò)渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)與原位摻雜，以及多元二維材料的生長(zhǎng)）
2，可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng)，可用于薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長(zhǎng)、刻蝕加工與材料表面修飾（尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無(wú)催化生長(zhǎng)，缺陷調(diào)控，以及器件制作工藝中的殘膠去除）
3，生長(zhǎng)工藝設(shè)計(jì)先進(jìn)，能滿(mǎn)足襯底無(wú)催化生長(zhǎng)
4，應(yīng)用案例（點(diǎn)擊跳轉(zhuǎn)）
設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)
| 溫控參數(shù) | 單位 | |
| 溫度 | 1200 | ℃ |
| 功率 | 6.5 | kw |
| 溫控精度 | ±1 | ℃ |
| 真空系統(tǒng) | ||
| 真空泵 | 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) | mbar (Torr) |
| 真空泵(開(kāi)氣鎮(zhèn)) | 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) | mbar (Torr) |
| 真空泵(使用PEPE 油) | 1 x 10-2(7.5 x 10-3) | mbar (Torr) |
| 腔體內(nèi)真空度 | 優(yōu)于2.0*10-2 | Torr |
| 流量控制參數(shù) | ||
| 泄露率 | ＜4×10-9 | atm-cc/secHe |
| 分辨率 | 全量程的0.1% | |
| 響應(yīng)時(shí)間氣特性 | <2 | s |
| 響應(yīng)時(shí)間電特性 | 500 | ms |
| 尾氣吸收參數(shù) | ||
| 材質(zhì) | 殼體鋁合金、不銹鋼 | |
| 吸氣腔 | 聚四氟乙烯 | |
| 等離子體系統(tǒng)參數(shù) | ||
| 功率輸出 | 5 – 300，5 – 500 | W |
| 信號(hào)頻率 | 13.56 ±0.005% | MHz |
| 反射功率 | 200 | W |
| 功率穩(wěn)定度 | ±0.1% | |
| 諧波分量 | ≤-50 | dbc |
| 供電電壓 | 187V – 253V —- 頻率50/60HZ |
以上就是東莞市卓聚科技有限公司提供的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）的介紹，
詳細(xì)情況歡迎您咨詢(xún)我們，客服電話(huà)：400-966-2800
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利用等離子體修飾系統(tǒng)，在自限生長(zhǎng)的前提下，目前已實(shí)現(xiàn)了兩英寸晶圓級(jí)高質(zhì)量單層二硫化鉬的外延生長(zhǎng)，并通過(guò)改進(jìn)轉(zhuǎn)移設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)薄膜的零污染且襯底無(wú)損轉(zhuǎn)移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個(gè)藍(lán)寶石襯底上，而且沒(méi)有縫隙，沒(méi)有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米，相對(duì)取向?yàn)?60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。
等離子體修飾系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1. 有效避免固態(tài)源中毒；
2.成膜均勻性好；
3.成膜面積大；
4.快速、生長(zhǎng)速度可控。
圖：兩英寸單層二硫化鉬的取向外延生長(zhǎng)
以上就是東莞市卓聚科技有限公司提供的等離子體修飾系統(tǒng)的介紹，
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